固態(tài)硬盤顆粒有哪些|固態(tài)硬盤SLC、MLC、TLC、QLC有什么不同

SSD固態(tài)硬盤的價格已經(jīng)漸漸平民化，所以大部分用戶都能消費得起固態(tài)硬盤。不過并不是叫固態(tài)硬盤的就是好的，固態(tài)硬盤這潭水可深著，就從閃存顆粒方面來說，固態(tài)硬盤顆粒有SLC、MLC、TLC和QLC，四種顆粒都了解的應該沒幾個，包括窮小編也不了解。這邊就跟系統(tǒng)城小編一起來學習下固態(tài)硬盤SLC、MLC、TLC、QLC四種顆粒有什么區(qū)別。

固態(tài)硬盤QLC、SLC、MLC、TLC顆粒介紹：

根據(jù)NAND閃存中電子單元密度的差異，可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）、TLC(三層存儲單元)以及最新推出的QLC（四層存儲單元）。固態(tài)硬盤依靠閃存芯片來存儲數(shù)據(jù)，里面存放數(shù)據(jù)最小單位叫作“Cell”，SLC每個cell可以存放1bit數(shù)據(jù)，MLC每個cell可以存放2bit數(shù)據(jù)，TLC每個cell可以存放3bit數(shù)據(jù)，而QLC可以存放4bit數(shù)據(jù)。

QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區(qū)別對比

SLC（單層存儲單元）

全稱是Single-Level Cell，單層電子結(jié)構(gòu)，每個cell可以存放1bit數(shù)據(jù)，SLC達到1bit/cell，寫入數(shù)據(jù)的時候電壓變化區(qū)間小，P/E壽命較長，理論擦寫次數(shù)在10萬次以上，但是由于成本最高，所以SLC顆粒多數(shù)用于企業(yè)級高端產(chǎn)品中。

MLC（雙層存儲單元）

全稱是Multi-Level Cell，使用高低電壓的而不同構(gòu)建的雙層電子結(jié)構(gòu)，MLC達到2bit/cell，P/E壽命較長，理論擦寫次數(shù)在3000-5000次左右，成本相對較高，但是對于消費級來說也可以接受，多用于家用級高端產(chǎn)品中。

TLC（三層存儲單元）

全稱是Trinary-Level Cell，三層式存儲單元，是MLC閃存延伸，TLC達到3bit/cell，由于存儲密度較高，所以容量理論上是MLC的1.5倍，成本較低，但是P/E壽命相對要低一些，理論擦寫次數(shù)在1000-3000次不等，是目前市面上主流的閃存顆粒。

QLC（四層存儲單元）

全稱是Quad-Level Cell，四層式存儲單元，QLC閃存顆粒擁有比TLC更高的存儲密度，同時成本上相比TLC更低，優(yōu)勢就是可以將容量做的更大，成本上更低，劣勢就是P/E壽命更短，理論擦寫次數(shù)僅150次。

QLC顆粒好不好？

每一個Cell單元存儲數(shù)據(jù)越多，單位面積容量就越高，但是同時會導致不同電壓狀態(tài)越多，并且越難控制，所以采用QLC顆粒的固態(tài)，雖然容量更大價格更便宜，但是穩(wěn)定性較差，并且P/E壽命較低，速度最慢。

QLC NAND最大的優(yōu)勢就是在于成本更低，相同的成本下能夠做出更大容量的SSD，容量將不再受到限制，1TB容量對于QLC顆粒來說，都是小意思，幾十到上百TB才是主流，大容量固態(tài)硬盤時代開始了。但是對于P/E壽命和速度來說，這是QLC顆粒最大劣勢之處。P/E壽命的公式是擦寫次數(shù)*容量/每天擦寫量/365，但是QLC顆粒的固態(tài)硬盤容量都很大，假設1個1TB的QLC顆粒的固態(tài)硬盤，每天擦寫100G，也就是它的壽命=1024*100/100/365，約2.8年，還有這個最大寫入次數(shù)也是理論上的，超出不一定就100%壞了，關(guān)鍵電腦不可能每天打開，也有休息的時候，加之每天不可能都擦寫100G，所以它的壽命也是不用太擔心的，等待固態(tài)硬盤壞了，整臺電腦也淘汰了。

QLC顆粒相信不少用戶會說是技術(shù)倒退，但是對于廠商來說，目前用戶對存儲容量需求隨之提高，目前TLC和MLC顆粒大容量的固態(tài)硬盤價格偏貴，更低成本更大容量才是未來趨勢，相信QLC顆粒會使得固態(tài)硬盤進入大容量廉價時代。